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磁光克尔效应测量磁性薄膜磁性微结构研究

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  • 公司名称北京锦正茂科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
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  • 所  在  地北京市
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间2022/11/1 13:02:10
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产品详情

磁光克尔效应测量系统JMTS-816

产品概述:

磁光克尔效应测量系统 磁光克尔效应装置是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计,是研究磁性薄膜、磁性微结构的理想测量工具。旋转磁光克尔效应(RotMOKE)是在磁光克尔效应测量基础上的一种类似于转矩测量各向异性的实验方法,可以定量的得到样品的磁各向异性的值。但由于电磁铁磁场大小的限制,只适合于测量磁各向异性的易轴在膜面内而且矫顽场不太大的磁性薄膜材料。结合源表可以进行样品的磁输运性能测量RotMOKE具有以下特点:测量精度高、测量时间短;非接触式测量,是一种无损测量;测量范围为一个点,可以测量同一样品不同部位的磁化情况;可以产生平滑、稳定的受控磁场,并且磁场平滑过零。

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磁光克尔效应测量磁性薄膜磁性微结构研究

应用领域:

磁光克尔效应测量系统广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学、磁性薄膜、磁性随机存储器、GMR/TMR等磁学领域。

可测试材料:记录磁头,磁性薄膜,特殊磁介质,磁场传感器

产品特点:

1·测量灵敏度高,稳定性好,噪音低

2·非接触式测量,是一种无损测量

3·可以测量同一样品厚度不等的楔形磁性薄膜

4·可以将样品放到真空中原位测量

5·可以测量同一样品不同部位的磁化情况

6·纵向、横向和极向克尔效应测试

7·三百六十度电动旋转样品,可测试样品各向异性

8·手动左右和上下位移样品,可测试样品表面不同点的克尔效应

9·样品座有电接口,可加入磁电耦合测试。

技术指标:

1· 样品尺寸:大Φ10mm的圆

2· 克尔角分辨率(δ):0.001度;

3·椭偏率分辨率(ε):0.1%;

4·小光斑(Φ):10微米;

5· 大磁场:单维0.26特斯拉;

6· 样品电动角度步进0.1度,手动位移步进10微米;

7·噪音:1%。

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磁光克尔效应测量磁性薄膜磁性微结构研究

技术参数:

1·光学平台:

  刚性隔震,不锈钢贴面,1200*800*800mm,M6螺孔,25mm阵距,150mm台板厚度,带脚轮。台面平整度0.1/1000mm,平台载荷300Kg,固有频率≤2.5Hz,阻尼比0.12~0.13R/S。

2·矢量电磁铁:

锦正茂二维矢量电磁铁,每维大磁场0.26T,极面直径30mm,磁场间隙40mm,中心10mm正方体内均匀区1%。

3·电磁铁电源:

锦正茂单相双极性恒流,大10A,小分辨率0.1mA,稳定性50ppm/h,对应小分辨率0.1Gauss。

4·激光器: Newport    632.8nm,2mW,2%稳定度,噪音<1% rms(30Hz~10MHz),通过聚焦透镜光斑小为10μm的圆。

5·起偏/检偏器:格兰-汤普森棱镜,外径25.4mm,通光孔径10mm,消光比<5*10^-5,角度范围14~16°,波长范围350~2300nm。

6·聚焦透镜:K9双凸,设计波长633nm,外径25.4mm,焦距150mm,焦距误差±0.5%,面精度X方向λ/4,Y方向λ/2。

7·四分之一波片:Ø25.4mm,波长632.8nm,投射波前畸变λ/8,相位延迟精度λ/100。

8·光电传感器:15mm²感应面积,0.21A/W响应度,暗电流1nA,对430~900nm波长光敏感,分流电阻200Mohm。

9·电流放大器:1pA/V大增益,1MHz带宽,大输入±5mA,大输出±5V,增益精度为输出的±0.05%

10·高精度电压表:六位半,小分辨率0.1μV,90天准确度达到0.002%,四位半精度下快2000 readings/second

11·手动位移和电动旋转样品杆:   XYZ三维位移,XY行程25mm,Z行程13mm,转动360度,样品座为直径11mm的圆,上有电接头。

12·计算机:    联想商用,集成多串口卡。

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北京锦正茂科技有限公司

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主营产品:
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