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产品详情
日本ARK高输出型晶圆外围曝光UV-LED光源EW04S
用于g线和i线光刻胶晶圆外围曝光的UV-LED光源。 光学设计可实现 7，000 mW/cm² 或更高的高输出。 它是加工厚膜抗蚀剂的理想选择，这过去需要大量的加工时间。 此外，曝光处理时间可以大大减少，这极大地促进了加工晶圆数量的增加。
日本ARK高输出型晶圆外围曝光UV-LED光源EW04S
| 项目 | 物质 |
|---|---|
| 工作环境温度 | 5~40°C（无冷凝。 ） |
| 电源电压 | 单相 100~240V |
| 工频 | 50/60赫兹 |
| 发射峰值波长 | 365±5纳米 |
| 光输出稳定性 | ±5%以内 |
| 初始紫外线强度 | 2000mW/c㎡以上（AT365nm，距掩模0.5mm） |
| 强度分布的均匀性 | 10%以下（4×5mm面积） |
| 紫外光源 | 紫外发光二极管 |
| 紫外光源寿命 | 20000 小时（估计使用寿命，最大驱动电流） *初始阶段UV强度为50%或更高的照明积分时间 |
| 照射开/关功能 | 紫外线 LED 开/关控制 （通过远程和手动控制打开/关闭） |
| 光强调节功能 | UV-LED电流调节 光强调节范围 20~100% |
| 外饰材料 | 不锈的 |
| 外部尺寸 | 150（宽）×200（深）×192（高）毫米 |
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